Процессоры Intel

Sapphire Rapids, LGA4677, 8 ядер, частота 4.1/2.9 ГГц, кэш 22.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W

Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.6/2.7 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

2020 г, Cascade Lake, LGA3647, 10 ядер, 20 потоков, частота 3.2/2.4 ГГц, кэш 13.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 100W

Skylake, LGA3647, 4 ядра, частота 3/2.6 ГГц, кэш 8.3 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

Sapphire Rapids, LGA4677, 16 ядер, частота 4/3.6 ГГц, кэш 45 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 270W

2023 г, Emerald Rapids, LGA4677, 24 ядра, 48 потоков, частота 3.7/2.2 ГГц, кэш 45 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 185W

2023 г, Raptor Lake, LGA1700, 16 ядер, 24 потока, частота 5.2/2.1 ГГц, кэш 24 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 219W

Cooper Lake, LGA4189, 28 ядер, частота 4.2/2.3 ГГц, кэш 1 МБ + 33 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

Comet Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.8/4.1 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

2023 г, Raptor Lake-R, LGA1700, 14 ядер, 20 потоков, частота 5.3/3.5 ГГц, кэш 20 МБ + 24 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 181W

2019 г, Cascade Lake, LGA2066, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.7/3.9 ГГц, кэш 16.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 155W

Rocket Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.6/3.1 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

Cooper Lake, LGA4189, 24 ядра, частота 4.2/3 ГГц, кэш 33 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 225W

Broadwell, 8 ядер, частота 1.7 ГГц + 20 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA2011-3, TDP 85W

Cascade Lake, LGA3647, 26 ядер, частота 4/2.1 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

2022 г, Alder Lake, LGA1700, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.4/2.5 ГГц, кэш 7.5 МБ + 18 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 117W

Cascade Lake, LGA3647, 28 ядер, частота 4/2.2 ГГц, кэш 38.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

Cascade Lake, LGA3647, 18 ядер, частота 3.9/2.6 ГГц, кэш 24.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

2021 г, Ice Lake, LGA4189, 16 ядер, 32 потока, частота 3.6/3.1 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

Cascade Lake, LGA3647, 28 ядер, частота 4/2.2 ГГц, кэш 38.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

Ice Lake, LGA4189, 28 ядер, частота 3.1/2 ГГц, кэш 42 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W