Процессоры Intel

2023 г, Raptor Lake, LGA1700, 16 ядер, 24 потока, частота 5.2/2.1 ГГц, кэш 24 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 219W

Rocket Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.6/3.1 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

Sapphire Rapids, LGA4677, 28 ядер, частота 4.1/2 ГГц, кэш 52.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, частота 4/2 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

Cascade Lake, LGA3647, 16 ядер, частота 3.9/2.3 ГГц, кэш 22 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

Sapphire Rapids, LGA4677, 8 ядер, частота 4.1/2.9 ГГц, кэш 22.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W

2022 г, Alder Lake, LGA1700, 4 ядра, 8 потоков, частота 4.3/3.3 ГГц, кэш 5 МБ + 12 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 89W

Cooper Lake, LGA4189, 18 ядер, частота 3.8/2.5 ГГц, кэш 1 МБ + 24.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

Cascade Lake, LGA3647, 28 ядер, частота 4/2.2 ГГц, кэш 38.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

2019 г, Cascade Lake, LGA3647, 4 ядра, 8 потоков, частота 3.9/3.8 ГГц, кэш 17 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 105W

2021 г, Ice Lake, LGA4189, 12 ядер, 24 потока, частота 3.6/3 ГГц, кэш 18 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W

Ice Lake, LGA4189, 38 ядер, частота 3.7/2.6 ГГц, кэш 57 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 270W

Ice Lake, LGA4189, 28 ядер, частота 3.4/2.2 ГГц, кэш 42 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 165W

Cascade Lake, LGA3647, 10 ядер, частота 3.4/2.5 ГГц, кэш 13.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

2024 г, Raptor Lake-R, LGA1700, 20 ядер, 28 потоков, частота 5.4/2.1 ГГц, кэш 28 МБ + 33 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 219W

2021 г, Rocket Lake, LGA1200, 8 ядер, 16 потоков, частота 5.3/3.5 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

2019 г, Cascade Lake, LGA3647, 6 ядер, 6 потоков, частота 1.9 ГГц, кэш 8.25 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

Cascade Lake, LGA3647, 8 ядер, частота 4/3.2 ГГц, кэш 11 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 130W

Coffee Lake, LGA1151 v2, 6 ядер, частота 4.9/3.8 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W

Cascade Lake, LGA3647, 12 ядер, частота 3.5/2.4 ГГц, кэш 16.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 100W

Raptor Lake, LGA1700, 16 ядер, частота 5.4/2.5 ГГц, кэш 24 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W