Найдено 437 товаров
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 500/500 МБайт/с, случайный доступ: 90000/30000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 500/500 МБайт/с, случайный доступ: 90000/30000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 620000/560000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 620000/560000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6700 MBps, случайный доступ: 1344000/1122000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6700 MBps, случайный доступ: 1344000/1122000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5025-E25, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1180000/1440000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5025-E25, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1180000/1440000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 90000/43000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 90000/43000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5500/2000 MBps, случайный доступ: 800000/85000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5500/2000 MBps, случайный доступ: 800000/85000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3200/1900 МБайт/с, случайный доступ: 200000/250000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3200/1900 МБайт/с, случайный доступ: 200000/250000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps
30.72 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 7000/3600 МБайт/с
30.72 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 7000/3600 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6700 МБайт/с, случайный доступ: 1350000/1150000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6700 МБайт/с, случайный доступ: 1350000/1150000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
15.36 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/3700 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/135000 IOps
15.36 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/3700 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/135000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
7.68 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC
7.68 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 13600/10200 МБайт/с, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 13600/10200 МБайт/с, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/3200 МБайт/с, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/3200 МБайт/с, SLC-кэш
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14100/12600 МБайт/с, случайный доступ: 1500000/1800000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14100/12600 МБайт/с, случайный доступ: 1500000/1800000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND
960 ГБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6500/1000 МБайт/с, случайный доступ: 240000/60000 IOps
960 ГБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6500/1000 МБайт/с, случайный доступ: 240000/60000 IOps
Ваше мнение важно для нас для улучшения нашего сервиса