Процессоры

Renoir, AM4, 4 ядра, частота 4/3.8 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

2024 г, Granite Ridge, AM5, 6 ядер, 12 потоков, частота 5.4/3.9 ГГц, кэш 6 МБ + 32 МБ, техпроцесс 4 нм, TDP 65W

2022 г, Vermeer, AM4, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.4/3.5 ГГц, кэш 3 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

2023 г, Raptor Lake-R, LGA1700, 24 ядра, 32 потока, частота 6/3.2 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W

2022 г, Vermeer, AM4, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.4/3.5 ГГц, кэш 3 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

2024 г, Raptor Lake-R, LGA1700, 10 ядер, 16 потоков, частота 4.7/2.5 ГГц, кэш 9.5 МБ + 20 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 148W

Cascade Lake, LGA3647, 26 ядер, частота 4/2.1 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

Genoa, SP5, 16 ядер, частота 4.4/4.1 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 400W

SP3, 16 ядер, частота 3.9/3.2 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W

Cezanne, AM4, 6 ядер, частота 4.4/3.9 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

Coffee Lake, LGA1151 v2, 4 ядра, частота 4.8/3.6 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 71W

Raptor Lake-R, LGA1700, 24 ядра, частота 5.8/2 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 219W

2021 г, Alder Lake, LGA1700, 12 ядер, 20 потоков, частота 5/3.6 ГГц, кэш 12 МБ + 25 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 190W

2024 г, Raptor Lake-R, LGA1700, 4 ядра, 8 потоков, частота 4.7/3.5 ГГц, кэш 5 МБ + 12 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 110W

Cascade Lake, LGA3647, 28 ядер, частота 4/2.2 ГГц, кэш 38.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

Rocket Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 5/3.7 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W

SP3, 24 ядра, частота 3.6/2.65 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W

2019 г, Cascade Lake, LGA2066, 14 ядер, 28 потоков, частота 4.8/3.3 ГГц, кэш 19.25 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

Comet Lake, LGA1200, 8 ядер, частота 4.8/2.9 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

2020 г, Vermeer, AM4, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.7/3.8 ГГц, кэш 4 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

2021 г, Ice Lake, LGA4189, 12 ядер, 24 потока, частота 3.6/3 ГГц, кэш 18 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W